為助力寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈建設(shè)，推動技術(shù)創(chuàng)新與資源高效對接，寬禁帶聯(lián)盟特別推出政策風向解讀、前沿技術(shù)追蹤、產(chǎn)業(yè)鏈合作動態(tài)、創(chuàng)新產(chǎn)品技術(shù)發(fā)布、重點項目建設(shè)及投融資熱點等核心板塊，為行業(yè)同仁打造一個全面、權(quán)威、高效的信息交流平臺。每月更新，持續(xù)為行業(yè)賦能。若您有技術(shù)突破、項目進展、合作需求或行業(yè)活動需推廣傳播，歡迎與我們聯(lián)系。讓我們攜手推進寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展！
北京市經(jīng)信局、北京市財政局印發(fā)《2025年北京市高精尖產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展項目資金和支持中小企業(yè)發(fā)展資金實施指南（第一批）》
北大楊學(xué)林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學(xué)研究上獲重要進展
英飛凌與國際汽車供應(yīng)商 Forvia Hella 進行汽車領(lǐng)域SiC合作
征世科技：成功研發(fā)30 mm×55 mm單晶金剛石散熱片及2英寸單晶金剛石晶圓
呼和浩特經(jīng)開區(qū)管委會與納星（寧波）半導(dǎo)體有限公司完成金剛石熱管理材料產(chǎn)業(yè)化項目簽約
近日，工業(yè)與信息化部、國家發(fā)展改革委、國家能源局等八部門發(fā)布《新型儲能制造業(yè)高水平質(zhì)量的發(fā)展行動方案》（以下簡稱《行動方案》），提出到2027年，我國新型儲能制造業(yè)全鏈條國際競爭優(yōu)勢凸顯，優(yōu)勢企業(yè)梯隊進一步壯大，產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新力和綜合競爭力明顯提升，實現(xiàn)高端化、智能化、綠色化發(fā)展。
新型儲能制造業(yè)是為新型儲能提供能量存儲、信息處理、安全控制等產(chǎn)品的制造業(yè)的總稱，以新型電池等蓄能產(chǎn)品和各類新型儲能技術(shù)為主要領(lǐng)域，也包括電源管理芯片、電力電子器件、熱管理和能量控制管理系統(tǒng)等環(huán)節(jié)。
《行動方案》鼓勵發(fā)展多元化新型儲能本體技術(shù)。提出面向中短時、長時電能存儲等多時間尺度、多應(yīng)用場景需求，加快新型儲能本體技術(shù)多元化發(fā)展，提升新型儲能產(chǎn)品及技術(shù)安全可靠性、經(jīng)濟可行性和能量轉(zhuǎn)化效率。加快鋰電池等成熟技術(shù)迭代升級，支持顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，提升高端產(chǎn)品供給能力。推動超級電容器、鉛碳電池、鈉電池、液流電池等工程化和應(yīng)用技術(shù)攻關(guān)。
《行動方案》突出多維度新型儲能安全。要求圍繞新型儲能系統(tǒng)生產(chǎn)制造、運行維護、回收利用全生命周期，構(gòu)建本征安全、主動預(yù)警、高效防護、安全應(yīng)用等多維度技術(shù)體系。加強新型儲能各技術(shù)路線熱失控及燃燒爆炸失效機理研究，突破儲能電池本征安全與控制技術(shù)，支持基于數(shù)字孿生和人工智能技術(shù)開展新型儲能安全預(yù)警技術(shù)攻關(guān)。
《行動方案》強調(diào)推進電源和電網(wǎng)側(cè)儲能應(yīng)用，拓展用戶側(cè)儲能多元應(yīng)用。積極鼓勵探索火電合理配置新型儲能，支持開展新型儲能配合調(diào)峰、調(diào)頻等多場景應(yīng)用。推動新能源集成新型儲能和智能化調(diào)控手段建設(shè)友好型新能源電站。面向數(shù)據(jù)中心、智算中心、通信基站、工業(yè)園區(qū)、工商業(yè)企業(yè)、公路服務(wù)區(qū)等對供電可靠性、電能質(zhì)量發(fā)展要求高和用電量大的用戶，推動配置新型儲能。依托“光儲充換檢”綜合性充換電站建設(shè)，發(fā)揮新型儲能在車網(wǎng)互動等新模式中的支撐作用。推動“光伏+儲能”系統(tǒng)在城市照明、交通信號、農(nóng)業(yè)農(nóng)村、公共廣播、“智慧車棚”等公共基礎(chǔ)設(shè)施融合應(yīng)用，鼓勵構(gòu)建微型離網(wǎng)儲能系統(tǒng)。
北京市科學(xué)技術(shù)委員會、中關(guān)村科技園區(qū)管理委員會等3部門正式印發(fā)《北京市加快推進“人工智能+新材料”創(chuàng)新發(fā)展行動計劃（2025-2027年）》（以下簡稱《行動計劃》），提出到2027年，北京“人工智能+新材料”創(chuàng)造新興事物的能力明顯地增強，發(fā)布新一代物質(zhì)科學(xué)大原子模型，研發(fā)10個（套）以上垂類模型和自主核心軟件，形成15個人AI賦能的標桿性新材料產(chǎn)品。
《行動計劃》從融合創(chuàng)新源頭攻關(guān)、新材料數(shù)據(jù)設(shè)施構(gòu)筑、智能實驗室建設(shè)、新業(yè)態(tài)培育和創(chuàng)新生態(tài)提升等5個方面凝練形成18項具體任務(wù)。
支持材料科學(xué)和AI融合創(chuàng)新基礎(chǔ)研究，加快材料科學(xué)理論突破和前沿新材料發(fā)現(xiàn)?；诳茖W(xué)原理與數(shù)據(jù)融合，開發(fā)新一代物質(zhì)科學(xué)大原子模型，圍繞新材料細致劃分領(lǐng)域，開發(fā)新材料智能研發(fā)垂類模型與軟件系統(tǒng)，打造一批人工智能賦能的標桿性新材料產(chǎn)品，在電池材料、催化材料、新型顯示材料、特種合金等細致劃分領(lǐng)域，研制一批高性能的關(guān)鍵新材料及器件，強化新材料自主保障能力和一馬當先的優(yōu)勢；在高溫超導(dǎo)、超材料、低維碳材料等前沿領(lǐng)域，形成一批國際領(lǐng)先的創(chuàng)新成果。
支持建設(shè)國家新材料大數(shù)據(jù)中心主平臺服務(wù)門戶，謀劃制定北京市新材料領(lǐng)域科技項目數(shù)據(jù)匯交規(guī)則，建立北京區(qū)域性數(shù)據(jù)資源節(jié)點。建設(shè)材料數(shù)據(jù)標準體系，發(fā)揮材料試驗技術(shù)聯(lián)盟等行業(yè)組織作用，加快制定材料數(shù)據(jù)采集、存儲、確權(quán)、流通、共享、應(yīng)用、價值評估與質(zhì)量評定等標準規(guī)范。充分的利用國家數(shù)據(jù)要素綜合試驗區(qū)建設(shè)契機，發(fā)展和應(yīng)用材料數(shù)據(jù)隱私計算、區(qū)塊鏈等技術(shù)，引導(dǎo)材料數(shù)據(jù)可信流通交易。
開發(fā)新材料智能實驗關(guān)鍵技術(shù)和裝備，形成軟硬一體、干濕閉環(huán)的解決方案和智能裝備，支撐全流程智能實驗。圍繞電子信息、醫(yī)藥健康、綠色能源、高端裝備重點產(chǎn)業(yè)的新材料發(fā)展需求，建設(shè)一批標桿新材料智能實驗室。支持開放智能實驗室和中試平臺建設(shè)，打造“人工智能+新材料”公共服務(wù)平臺和高能級創(chuàng)新平臺。
培育一批專業(yè)化市場主體，包括新材料細致劃分領(lǐng)域AI算法模型、智能體、工具軟件、數(shù)據(jù)等服務(wù)商，以及智能裝備提供商和系統(tǒng)集成商。探索新材料研發(fā)流程模塊化，鼓勵研發(fā)模塊服務(wù)外包，培育新材料研發(fā)服務(wù)新模式。同時，加速人工智能、大數(shù)據(jù)等技術(shù)在新材料研發(fā)生產(chǎn)制造全流程的賦能應(yīng)用。
推動央國企率先開展“人工智能+新材料”融合創(chuàng)新，帶動上下游企業(yè)加快前瞻布局和轉(zhuǎn)型升級，培育壯大創(chuàng)新主體。加強“人工智能+新材料”人才多元梯次培養(yǎng)，建設(shè)“人工智能+新材料”創(chuàng)新社區(qū)，促進國際交流與合作，強化科學(xué)技術(shù)金融賦能作用，打造“人工智能+新材料”融合創(chuàng)新示范基地。
北京市經(jīng)信局、北京市財政局印發(fā)《2025年北京市高精尖產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展項目資金和支持中小企業(yè)發(fā)展資金實施指南（第一批）》
根據(jù)《北京市高精尖產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展項目資金管理辦法》《北京市支持中小企業(yè)發(fā)展資金管理辦法》等文件規(guī)定，北京市經(jīng)濟和信息化局、北京市財政局發(fā)布了《2025年北京市高精尖產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展項目資金和支持中小企業(yè)發(fā)展資金實施指南（第一批）》，支持企業(yè)調(diào)結(jié)構(gòu)、強能力，注重提升產(chǎn)業(yè)科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新能力，強化企業(yè)梯隊建設(shè)，壯大特色優(yōu)勢集群，促進產(chǎn)業(yè)數(shù)字化綠色化發(fā)展，提高產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展質(zhì)效。支持方向擴展到18個（企業(yè)培育獎勵、并購貸款貼息、戰(zhàn)略性項目貸款貼息、中小企業(yè)服務(wù)體系績效評價獎勵、中小企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)獎勵、北京“專精特新”專板股權(quán)融資獎勵、“創(chuàng)贏未來”項目獎勵、集成電路設(shè)計產(chǎn)品首輪流片獎勵、醫(yī)藥創(chuàng)新品種產(chǎn)業(yè)規(guī)?；剟睢C器人創(chuàng)新產(chǎn)品首試首用獎勵、商業(yè)航天保險補貼、重點新材料首批次應(yīng)用示范獎勵、打造行業(yè)標桿示范首方案獎勵、重點共享開源項目獎勵、數(shù)據(jù)要素市場示范獎勵、“新智造100”項目獎勵、綠色低碳發(fā)展項目獎勵、老舊廠房更新利用獎勵），覆蓋十大高精尖產(chǎn)業(yè)、未來產(chǎn)業(yè)及數(shù)字化的經(jīng)濟等重點領(lǐng)域，集聚推動大中小企業(yè)融通創(chuàng)新發(fā)展，加大普惠類政策資金投放，最高支持5000萬。
北大楊學(xué)林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學(xué)研究上獲重要進展
北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學(xué)中心楊學(xué)林、沈波團隊在氮化鎵外延薄膜中位錯的原子級攀移動力學(xué)研究上取得重要進展。相關(guān)成果2025年2月5日以“從原子尺度上理解氮化物半導(dǎo)體中的位錯攀移：不對稱割階的影響”（Atomistic Understanding of Dislocation Climb in Nitride Semiconductors: Role of Asymmetric Jogs）為題在線發(fā)表于《物理評論快報》（Physical Review Letters）上。
在六方結(jié)構(gòu)的氮化鎵外延生長過程中，位錯主要以攀移方式運動，但至今仍然缺乏對位錯攀移運動的原子級表征和理解。常規(guī)的電鏡技術(shù)只能獲得晶體中靜態(tài)的位錯二維投影圖像，要觀測到位錯的原子尺度運動過程依然面臨巨大挑戰(zhàn)。
針對上述關(guān)鍵科學(xué)問題和應(yīng)用需求，北京大學(xué)楊學(xué)林、沈波團隊對氮化鎵外延薄膜中位錯的原子尺度攀移過程進行了深入研究。通過采用掃描透射電子顯微鏡(STEM)的深度切片技術(shù)，結(jié)合精心設(shè)計的外延結(jié)構(gòu)調(diào)控位錯攀移傾角，使其與STEM的深度分辨率精準匹配，成功捕捉到了單根位錯線的原子級攀移過程，并發(fā)現(xiàn)混合位錯中的5環(huán)不全位錯以“5-9”原子環(huán)循環(huán)交替的方式來進行攀移。在此基礎(chǔ)上，合作單位北京計算科學(xué)研究中心黃兵團隊利用模擬計算確認了位錯割階的原子結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)，并提出了“費米能級調(diào)控割階形成”的新機制，為“摻雜怎么樣影響位錯攀移”這一問題的理解提供了全新的物理視角。
10.1038/s46-9）的最新研究論文，發(fā)現(xiàn)了高溫高壓下石墨經(jīng)由后石墨相形成六方金剛石的全新路徑，并“首次”合成出高質(zhì)量六方金剛石塊材，發(fā)現(xiàn)其具有高出立方金剛石的極高硬度和良好的耐熱性。該成果不僅提供了一種純相六方金剛石人工合成的有效途徑，給出了其獨立存在的有力證據(jù)，也為超硬材料和新型碳材料添加了性能更為優(yōu)異的新成員，為突破立方金剛石的應(yīng)用局限提供了可能；該成果對進一步探索隕石中鉆石的具體來源和重大地質(zhì)事件也有著重要意義。
格拉斯哥大學(xué)詹姆斯瓦特工程學(xué)院的戴維莫蘭教授領(lǐng)導(dǎo)的研究團隊與來自澳大利亞皇家墨爾本理工大學(xué)和美國普林斯頓大學(xué)的合作伙伴共同設(shè)計出新型的金剛石晶體管。該晶體管可默認處于關(guān)閉狀態(tài)——這對于確保開啟時承載大量電流的設(shè)備的安全至關(guān)重要。該金剛石晶體管可應(yīng)用于需要大電壓且格外的重視效率的領(lǐng)域，例如電網(wǎng)或電動汽車。其成果發(fā)表在《先進電子材料》雜志上。
電力電子面臨的挑戰(zhàn)是，開關(guān)的設(shè)計需要能夠在不使用時保持牢固關(guān)閉狀態(tài)以確保其符合安全標準，但在打開時也必須要提供非常高的功率。
在格拉斯哥大學(xué)詹姆斯瓦特納米制造中心，研究小組利用表面化學(xué)技術(shù)來改善金剛石的性能，先用氫原子涂覆金剛石，然后再涂覆氧化鋁層。使其金剛石晶體管需要6伏才能打開，是以前的金剛石晶體管的兩倍多，同時在激活時仍能提供大電流。
他們還改進了電荷在器件中的移動效率，性能比傳統(tǒng)的金剛石晶體管提高了一倍，進而可提升器件的效率。
2月13日，根據(jù)日本EDP公司官網(wǎng)，宣布成功開發(fā)出全球最大級別30×30 mm以上的金剛石單晶，刷新行業(yè)紀錄！此前30×30 mm以上基板需采用多晶拼接技術(shù)，現(xiàn)可通過離子注入剝離技術(shù)實現(xiàn)大尺寸單晶基板。
尺寸：15×15毫米至30×30毫米（15×15毫米以下的單晶基板已上市。）
日本國立材料研究所廖梅勇團隊證明了利用Ib型單晶金剛石（SCD）襯底表面態(tài)和深層缺陷的協(xié)同效應(yīng)，能輕松實現(xiàn)低工作電壓（5 V）的超高增益DUV光電探測器（PD）。金剛石DUV- PD的整體光響應(yīng)，如靈敏度、暗電流、光譜選擇性和響應(yīng)速度，能夠最終靠SCD襯底表面的氫或氧終止來簡單地定制。在220 nm光下，DUV響應(yīng)率和外量子效率分別超過2.5×104A/W和1.4×107%，與PMT相當。DUV/可見光抑制比（R220 nm/R400 nm）高達6.7×105。深氮缺陷耗盡二維空穴氣體提供了低暗電流，在DUV照射下電離氮的填充產(chǎn)生了巨大的光電流。表面態(tài)和本體深度缺陷的協(xié)同效應(yīng)為開發(fā)與集成電路兼容的DUV探測器開辟了道路。
2025年2月21日，天科合達與慕德微納在徐州簽署投資合同，共同出資成立合資公司。雙方將在AR衍射光波導(dǎo)鏡片研發(fā)技術(shù)與市場推廣方面展開深度合作，一同推動AR行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用落地。
此次簽約后，雙方將緊密合作，天科合達將憑借其在碳化硅襯底領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，為慕德微納提供滿足 AR 衍射光波導(dǎo)需求的高質(zhì)量碳化硅襯底產(chǎn)品。慕德微納則將利用自身在微納光學(xué)技術(shù)和AR光波導(dǎo)加工方面的優(yōu)勢，逐步優(yōu)化 AR 衍射光波導(dǎo)的性能。此次合作將加速AR衍射光波導(dǎo)鏡片的技術(shù)突破，推動AR行業(yè)向更高性能、更輕量化方向發(fā)展。同時，雙方優(yōu)勢互補，有望在全球AR市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。
英飛凌與國際汽車供應(yīng)商 Forvia Hella 進行汽車領(lǐng)域SiC合作
據(jù)了解，英飛凌的Cool SiC MOSFET采用Q-DPAK封裝，專為800 V汽車架構(gòu)中的車載充電器和 DCDC 應(yīng)用而設(shè)計，該封裝的爬電距離為4.8 mm，無需額外的絕緣涂層就可以實現(xiàn)超過900 V的工作電壓，基于Gen1p 技術(shù)，0V關(guān)斷可實現(xiàn)單極柵極控制，從而通過減少PCB中的元件數(shù)量來簡化設(shè)計。
2月11日，麥格納在官網(wǎng)宣布，他們已與梅賽德斯-奔馳擴大長期創(chuàng)新合作伙伴關(guān)系，并將為后者提供采用碳化硅技術(shù)的電驅(qū)動系統(tǒng)。
文章進一步透露，麥格納已為梅賽德斯-奔馳生產(chǎn)了超過50萬輛越野車。接下來，麥格納將通過開發(fā)和工程服務(wù)加強合作伙伴關(guān)系，為梅賽德斯-奔馳提供eDS Duo 電驅(qū)動系統(tǒng)，直至梅賽德斯-奔馳標志性越野車的全新電動車型實現(xiàn)生產(chǎn)。資料顯示，eDS Duo 是一款雙速雙電機驅(qū)動裝置，憑借先進的碳化硅和解耦等技術(shù)，在保持高效率的可提供卓越的性能，其功率高達 240 kW，具有領(lǐng)先的牽引力和越野能力，并包括車輪獨立推進系統(tǒng)。2024年，麥格納已經(jīng)在位于奧地利蘭納赫的工廠開始生產(chǎn) eDS Duo。麥格納動力總成總裁Diba Ilunga表示：“麥格納曾為梅賽德斯-奔馳標志性越野車供應(yīng)過三代分動箱，現(xiàn)在很榮幸能為這款傳奇車型配備第一代電動裝置。eDS Duo 展示了麥格納提供動力總成解決方案的靈活方法，可協(xié)助客戶無縫從內(nèi)燃機過渡到電動汽車?！?/P>
為降低SiC材料損耗，深圳平湖實驗室新技術(shù)研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝，其工藝過程示意圖如下所示：
有益效果：使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。
近日，江蘇集芯先進材料有限公司推出兩用碳化硅晶片倒角機。該款倒角機的核心功能在于其兼容兩種不一樣的尺寸的碳化硅晶片，且在調(diào)整尺寸時無需更換打磨臺。這一獨特設(shè)計的優(yōu)點是可以有很大成效避免因換臺而引起的碳面與硅面間幅差異，確保了晶片的加工精度。這一創(chuàng)新不僅降低了操作的復(fù)雜性，還明顯提高了生產(chǎn)效率，體現(xiàn)了當前先進制造業(yè)向智能化、簡便化邁進的趨勢。
根據(jù)加工要求與工藝特點，選用五軸微射流激光加工設(shè)施，成功完成 AR 鏡片外形切割后，又在碳化硅 AR 鏡片外形切割塊上順利實施去端切片，獲得厚度為 0.65mm 的高品質(zhì)鏡片切片。
經(jīng)檢測，碳化硅晶體切割邊緣無熱影響、崩邊和缺口等瑕疵，加工完成的 AR 鏡片切片的表面粗糙度精準控制在 0.5 - 0.7μm 區(qū)間，充分驗證了微射流激光技術(shù)在實際生產(chǎn)中的可行性與優(yōu)越性。碳化硅晶體的切割達到預(yù)期效果，切割邊緣無熱影響和崩邊、缺口等現(xiàn)象；如圖所示，加工完成的AR鏡片的切割面粗糙度Ra=0.662μm。
在湖北省荊州市磁共振新技術(shù)論壇上，聯(lián)影醫(yī)療首次將 SiC 材質(zhì)與磁共振的核心部件梯度功率放大器（GPA）結(jié)合，能夠最大化釋放GPA性能，并搭載全新磁共振可持續(xù)性發(fā)展解決方案，可為客戶節(jié)省高達57%的能耗，助力綠色醫(yī)療建設(shè)。
在SiC材料的加持下，聯(lián)影醫(yī)療首創(chuàng)SiC GPA，為磁共振設(shè)備賦予了新能源動力系統(tǒng)。SiC 材料具備高電子飽和速度的特性，電子在其中傳輸時，如同在高速上行駛般暢行無阻，這一特性大幅度降低了器件損耗，降幅超過 60% 。在實現(xiàn)相同臨床效果的前提下，全序列功率降低幅度超過 50%。
此外，SiC的低損耗特性使其在工作過程中產(chǎn)生的熱量大幅度降低，且可以在更高溫度下可靠運行，故其能夠更好的降低散熱系統(tǒng)的設(shè)計的基本要求和尺寸。聯(lián)影醫(yī)療通過SiC GPA和智能水冷系統(tǒng)結(jié)合的全新設(shè)計，水冷功率降低了40%，設(shè)備年能耗從300噸標準煤驟降至129噸，節(jié)約能源的效果非常顯著。
2月14日，英飛凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圓工藝制造的碳化硅（SiC）產(chǎn)品。據(jù)悉，這一些產(chǎn)品將在奧地利菲拉赫制造，為包括可再次生產(chǎn)的能源、火車和電動汽車在內(nèi)的高壓應(yīng)用提供一流的碳化硅功率技術(shù)。
這一舉措標志著英飛凌在碳化硅技術(shù)應(yīng)用上邁出了重要一步，有望逐步提升相關(guān)領(lǐng)域的能源效率和性能表現(xiàn)。尤其在電動汽車領(lǐng)域，英飛凌不斷拓展合作版圖。英飛凌在生產(chǎn)布局上也有著重大進展，其位于馬來西亞居林的制造基地正順利從150毫米晶圓向200毫米直徑晶圓轉(zhuǎn)換，其新建Module 3 廠房已準備好依據(jù)市場需求開始大規(guī)模生產(chǎn)。
征世科技：成功研發(fā)30 mm×55 mm單晶金剛石散熱片及2英寸單晶金剛石晶圓
2025年2月20日，上海征世科技股份有限公司（以下簡稱：征世科技）宣布在單晶金剛石散熱片領(lǐng)域取得重大突破，成功研發(fā)出尺寸達30 mm×55 mm的單晶金剛石散熱片。該產(chǎn)品具有以下優(yōu)勢：
1）熱導(dǎo)率高達2000 W/(m·K)，是傳統(tǒng)銅、鋁等散熱材料的5倍以上，可快速將熱量從熱源導(dǎo)出，大大降低芯片結(jié)溫。
2）優(yōu)異的絕緣性能：電阻率高達1016 Ω·cm，可有很大成效避免電磁干擾，保證電子設(shè)備的穩(wěn)定運行。
同日，征世科技宣布成功研發(fā)出2英寸（1英寸=2.54 cm）單晶金剛石晶圓。
近期，中科半導(dǎo)體團隊推出首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機器人動力系統(tǒng)芯片。芯片采用SIP封裝技術(shù)，內(nèi)置硬件加速引擎、高速接口、PWM信號陣列可編程單元及邊緣圖像處理和各類傳感器及生物信息采集的高速接口。
該芯片主要使用在于多關(guān)節(jié)具身機器人及智能裝備領(lǐng)域，根據(jù)推理大模型生成的3D虛擬模型與姿態(tài)坐標，通過芯片自帶的“邊緣物理模型”輸出的陣列PWM電流信號控制上100條仿真肌肉及伺服電機系統(tǒng)來完成復(fù)雜的原子操作，單個姿態(tài)運動達32個自由度。
通過“邊緣物理模型”輸出PWM信號控制物理量信號，使機器人具有人一樣的復(fù)雜肢體動作和物理質(zhì)量的約束。
Wolfspeed近日發(fā)布了全新的第4代（Gen 4）技術(shù)平臺，該平臺從設(shè)計端就考慮耐久性和高效性，同時還能降低系統(tǒng)成本、縮短開發(fā)時間。第4代技術(shù)專為簡化大功率設(shè)計中常見的開關(guān)行為和設(shè)計挑戰(zhàn)而設(shè)計，并為 Wolfspeed 的各種類型的產(chǎn)品（包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品）制定了長遠的發(fā)展規(guī)劃路線圖。這一些產(chǎn)品目前有750 V、1200 V 和 2300 V 等級可供選擇。
第 4 代技術(shù)將依托Wolfspeed的高效 200 mm 晶圓交付，該技術(shù)將為大功率汽車、工業(yè)和可再次生產(chǎn)的能源系統(tǒng)的設(shè)計人員帶來顯著的性能提升，主要優(yōu)勢包括：
?。?）整體系統(tǒng)效率：在工作時候的溫度下，導(dǎo)通電阻降低高達 21%，開關(guān)損耗降低高達 15%；（2）耐久性：確保可靠的性能，包括高達 2.3 μS 的短路耐受時間，以提供額外的安全余量；（3）更低的系統(tǒng)成本：簡化設(shè)計流程，降低系統(tǒng)成本、縮短開發(fā)時間。
華潤微電子于近期在重慶舉辦了功率模塊新品發(fā)布會，推出了基于高壓超結(jié)MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車規(guī)主驅(qū)模塊及IPM模塊等系列新品。這些新品主要使用在于新能源汽車的車載充電機（OBC）、主驅(qū)逆變器、高壓直流轉(zhuǎn)換器（DC-DC）等核心部件，以及新能源發(fā)電、工業(yè)控制、白電等領(lǐng)域。
據(jù)悉，華潤微電子的SiC模塊產(chǎn)品有DCM系列半橋功率模塊、MSOP系列半橋功率模塊、HPD系列全橋功率模塊，具有高功率密度、低開關(guān)損耗、小型化設(shè)計、高散熱性等特點，能夠明顯提升新能源汽車的系統(tǒng)效率和續(xù)航能力。據(jù)華潤微電子有關(guān)負責的人介紹，截至目前，華潤微電子已有56款車規(guī)級功率芯片實現(xiàn)量產(chǎn)，鄭重進入重慶某主機廠的供應(yīng)鏈名單。以半橋功率模塊為代表的產(chǎn)品，已向國內(nèi)多家頭部新能源車企批量供貨。
近日，蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司(LEKIN)發(fā)布行業(yè)首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片——LEKIN-SiMiP?，并與惠科等多家顯示客戶展開合作，實現(xiàn)其在微間距LED大屏直顯應(yīng)用驗證。該技術(shù)規(guī)避了巨量轉(zhuǎn)移難題，大幅度的提高了直通良率，推動我們國家在微間距LED大屏直顯技術(shù)領(lǐng)域躋身全球前列。
立琻半導(dǎo)體基于自有的硅基GaN高效Micro-LED技術(shù)基礎(chǔ)，瞄準超高的性價比的微間距LED大屏直顯應(yīng)用需求，自主研發(fā)了單芯全彩化SiMiP顯示芯片技術(shù)。SiMiP是一種高階MiP技術(shù)，通過單芯集成紅綠藍三基色像元，無需復(fù)雜的巨量轉(zhuǎn)移和修復(fù)工藝，只需一次固晶即可將芯片轉(zhuǎn)移到驅(qū)動背板上。該技術(shù)可大幅度提高微間距LED顯示模組生產(chǎn)的直通良率，明顯降低生產(chǎn)所帶來的成本，兼具高性能與低成本的優(yōu)勢，為微間距LED大屏直顯應(yīng)用提供了更具競爭力的解決方案。
2月13日，理想汽車在微博平臺上宣布，他們自研的碳化硅功率芯片完成裝機，自研的自產(chǎn)的碳化硅功率模塊和新一代電驅(qū)動總成已分別在理想汽車蘇州半導(dǎo)體生產(chǎn)基地和常州電驅(qū)動生產(chǎn)基地量產(chǎn)下線。理想汽車還表示，這三大核心技術(shù)將陸續(xù)搭載于理想純電車型。
電驅(qū)動總成是理想“三電”戰(zhàn)略的核心，理想汽車通過垂直整合核心技術(shù)（如SiC模塊、電驅(qū)動），未來將結(jié)合SiC模塊和800V平臺，逐步優(yōu)化能耗和充電性能，支撐純電車型的市場競爭力。
鈞聯(lián)電子：安徽省首條先進工藝SiC車規(guī)功率模塊產(chǎn)線日，鈞聯(lián)電子成功舉行了“安徽省首條先進工藝碳化硅車規(guī)功率模塊產(chǎn)線下線儀式”。隨著該條產(chǎn)線的全面投產(chǎn)，標志著鈞聯(lián)電子完成了功率模塊-電機控制器-電驅(qū)動總成全鏈閉環(huán)的關(guān)鍵拼圖，
在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)的核心技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化進程邁入全新階段。目前，鈞聯(lián)電子已獲新能源汽車領(lǐng)域多家主機廠的電驅(qū)、電控量產(chǎn)訂單與項目，并且還與eVTOL航空器頭部主機廠深度合作，其800V高壓碳化硅工藝模塊已經(jīng)在多家主機廠完成驗證并批量供貨。
呼和浩特經(jīng)開區(qū)管委會與納星（寧波）半導(dǎo)體有限公司完成金剛石熱管理材料產(chǎn)業(yè)化項目簽約
2月9日，呼和浩特經(jīng)開區(qū)管委會與納星（寧波）半導(dǎo)體有限公司舉行金剛石熱管理材料產(chǎn)業(yè)化項目簽約儀式，標志著雙方在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的合作邁出關(guān)鍵一步，將為經(jīng)開區(qū)的產(chǎn)業(yè)升級和經(jīng)濟發(fā)展注入新動力。
本次簽約的金剛石熱管理材料產(chǎn)業(yè)化項目總投資 1.2 億元，其中固定資產(chǎn)投資 1 億元。項目全部達產(chǎn)后，預(yù)計可實現(xiàn)年產(chǎn)值 1 億元，年納稅約 700 萬元，帶動當?shù)鼐蜆I(yè)約 40 人。該項目的落地，將加強完善經(jīng)開區(qū)在半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈的布局，提升區(qū)域產(chǎn)業(yè)競爭力。
據(jù)悉，納星（寧波）半導(dǎo)體有限公司是一家專注于MPCVD（微波等離子體化學(xué)氣相沉積）專用設(shè)備研發(fā)與生產(chǎn)的先進制造企業(yè)。其設(shè)備在金剛石半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，公司自主研發(fā)的熱管理用金剛石薄膜產(chǎn)品，依托河南省科學(xué)院的人才優(yōu)勢，運用前沿制造技術(shù)，在大尺寸金剛石晶圓研發(fā)及生產(chǎn)方面成果顯著。
2月5日，衢州市委召開“工業(yè)強市、產(chǎn)業(yè)興市”打造高水平發(fā)展建設(shè)共同富裕示范區(qū)市域樣板推進會。會上共有76個項目簽約，計劃總投資594.5億元。其中：現(xiàn)場集中簽約項目26個，計劃總投資451.5億元；場外簽約項目50個，計劃總投資143億元。
現(xiàn)場集中簽約項目中涉及多個半導(dǎo)體相關(guān)項目，包括浙江芯谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園、半導(dǎo)體核心零部件項目、氮化鋁單晶襯底項目、6英寸化合物襯底項目。
項目計劃總投資17.7億元，用地面積221畝，建設(shè)浙江芯谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園。達產(chǎn)后預(yù)計可實現(xiàn)年營業(yè)收入18億元，年稅收9000萬元。
項目計劃總投資10億元，用地面積150畝，建設(shè)年產(chǎn)5萬片2-6英寸AlN單晶襯底生產(chǎn)線。達產(chǎn)后預(yù)計可實現(xiàn)年營業(yè)收入10億元，年稅收1.5億元。
項目計劃總投資10億元，用地面積30畝，建設(shè)廠房約2萬平方米，主要建設(shè)6英寸化合物襯底生產(chǎn)線。達產(chǎn)后預(yù)計可實現(xiàn)年營業(yè)收入10億元，年稅收5000萬元。
近日，《南京市2025年經(jīng)濟社會持續(xù)健康發(fā)展重點項目名單》正式對外發(fā)布，2025年南京市重點項目共500個。其中，實施項目443個，前期項目57個。從產(chǎn)業(yè)類別看，實施項目中科創(chuàng)項目63個，先進制造業(yè)項目228個。其中，先進制造業(yè)項目中上榜的集成電路項目共18個，包括：
展芯半導(dǎo)體總部、南京國兆光電OLED微顯示器件擴產(chǎn)、南京誠志高端光學(xué)新材料、中江IGBT半導(dǎo)體功率模塊覆銅陶瓷基板產(chǎn)業(yè)化等實施項目也上榜。
此外，前期項目包括南京8英寸第三代半導(dǎo)體晶圓線、昀光科技高性能硅基OLED微顯示器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、茂萊精密光學(xué)產(chǎn)業(yè)基地等項目。
2月7日，據(jù)韓媒Etoday報道，SK 集團已經(jīng)與三星電子、Above Semiconductor 共同參與了國家項目“SiC·GaN 功率半導(dǎo)體”的聯(lián)合開發(fā)，并計劃在今年開始量產(chǎn)8英寸 SiC 襯底。
據(jù)SK 集團董事長崔泰源透露，他們正在加速對 SiC 襯底的投資，并將其作為繼高帶寬存儲器 (HBM) 之后的下一代增長引擎，并計劃在韓國和美國之間建立雙重生產(chǎn)體系，于今年開始量產(chǎn)8英寸 SiC 襯底以搶占市場。
值得注意的是，SK Siltron的韓國工廠主要分布在龜尾市和利川市，主要生產(chǎn)硅襯底，SiC襯底產(chǎn)能以美國工廠為主。據(jù)此來看，SK Siltron或?qū)⒃黾禹n國本土的SiC襯底產(chǎn)能，并生產(chǎn)8英寸SiC襯底。
據(jù)報道，SK 集團的美國子公司SK Siltron CSS主要生產(chǎn)碳化硅襯底和外延片，其在美國密歇根州奧本市、貝城分別擁有兩座工廠，并獲得美國能源部4.815億美元（約34.8億人民幣）的貸款。
2022年3月，SK Siltron CSS的貝城 SiC 工廠正式投入運營，年產(chǎn)量預(yù)計在6萬片左右，第二階段擴建預(yù)計2025年完成，屆時SK Siltron的6吋 SiC 襯底產(chǎn)能將增加到每年50萬片。
2月18日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（下稱“中微公司”）與成都高新區(qū)簽訂投資合作協(xié)議，企業(yè)將在成都高新區(qū)設(shè)立全資子公司——中微半導(dǎo)體設(shè)備（成都）有限公司，專注于高端邏輯及存儲芯片相關(guān)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及其他關(guān)鍵設(shè)備。同時將建設(shè)研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項目。
項目總投資額約30.5億元，注冊資本1億元，并計劃購地50余畝，用于建設(shè)研發(fā)中心、生產(chǎn)制造基地、辦公用房及附屬配套設(shè)施，以滿足量產(chǎn)需求。項目擬于2025年啟動建設(shè)，2027年正式投入生產(chǎn)。
近日，武漢凈瀾檢測有限公司在官網(wǎng)公布了《智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線建設(shè)項目階段性竣工環(huán)境保護驗收監(jiān)測報告表》，其中透露了智新半導(dǎo)體的SiC模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)進展。
據(jù)悉，該項目屬于技改項目，位于武漢市經(jīng)開區(qū)，總投資約為1.63億，計劃在原有智新半導(dǎo)體有限公司租賃車間內(nèi)新增1條自動化IGBT模塊封裝線，同時新增銀燒結(jié)相關(guān)工藝設(shè)備，具備SiC模塊研發(fā)及生產(chǎn)能力。
本次驗收范圍只包含智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線建設(shè)項目已建設(shè)完成運行部分，目前芯片劃片工藝暫未建設(shè)。具體來看，該項目于2023年5月8日開工建設(shè)，2024年1月4日竣工，2024年4月調(diào)試運行，將新增產(chǎn)能IGBT模塊38萬只/年、IGBT模塊（SiC模塊）2萬只/年，結(jié)合原有IGBT模塊30萬只/年的產(chǎn)能，合計產(chǎn)能達70萬只/年。
據(jù)珠海市工業(yè)和信息化局消息，2月5日，珠海各區(qū)（功能區(qū)）舉行2025年第一季度重點項目開工儀式，其中奕源半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地正式開工，一期項目預(yù)計于2026年上半年實現(xiàn)投產(chǎn)。該項目總投資約100億元，
主要生產(chǎn)具有全球領(lǐng)先工藝技術(shù)水平的合成石英部件、碳化硅功率模組載板等。其中，碳化硅功率模組載板是碳化硅模組封裝的核心組件，是解決碳化硅高功率模塊散熱和提升可靠性的關(guān)鍵材料。信息來源：
近日，據(jù)印度時報報道，印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校與私營公司 SiCSem 聯(lián)合開設(shè)了一個碳化硅研究及創(chuàng)新中心—SiCRIC，將致力研究6、8英寸碳化硅晶錠及襯底的大批量生產(chǎn)技術(shù)。
據(jù)悉，該中心的投入成本為4.45億盧比（約合人民幣0.37億），將為SiCSem位于印度奧里薩邦的 SiC 設(shè)備制造和 ATMP（半導(dǎo)體制造后道工序）工廠提供技術(shù)上的支持，該工廠總投資為300億盧比（約合人民幣25億），已成功奠基。
印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校校長 Shreepad Karmalkar 表示，印度中央政府已批準了多個重要的半導(dǎo)體項目，而奧里薩邦也吸引了 SicSem 、RIR Power Electronics 等復(fù)合半導(dǎo)體工廠。學(xué)院及研究中心將致力于為半導(dǎo)體（尤其是復(fù)合半導(dǎo)體）行業(yè)提供從粉未到晶體到晶圓再到封裝的全流程技術(shù)探討研究、創(chuàng)新和技能培訓(xùn)。
2月25日，據(jù)“德清組工”官微透露，“中大功率氮化鎵芯片及其模組”總部項目已落戶浙江市德清縣，其主體為湖州鎵奧科技有限公司。
鎵奧科技成立于2024年11月，是一家專注于氮化鎵功率器件及其模組研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的創(chuàng)新型企業(yè)，團隊核心技術(shù)為“國產(chǎn)替代”氮化鎵中大功率芯片和“國產(chǎn)設(shè)計”中大功率模組，并擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，技術(shù)處于行業(yè)領(lǐng)頭羊，主要應(yīng)用領(lǐng)域為AI和新能源兩大賽道。信息來源：
近期，據(jù)某建設(shè)項目環(huán)境信息公示平臺文件透露，由雅安國鎵芯科半導(dǎo)體科技有限公司建設(shè)的氮化鎵生產(chǎn)基地項目（一期）已通過竣工環(huán)境保護驗收，建成投產(chǎn)后將生產(chǎn)氮化鎵襯底。
，位于四川省雅安市，主要建設(shè)內(nèi)容有生產(chǎn)車間（生長區(qū)、HVPE區(qū)、裝料取晶區(qū)）、原料儲存區(qū)等配套工程，于2024年1月1日開工建設(shè)，2024年5月10日建成，投產(chǎn)后將形成年產(chǎn)單晶氮化鎵襯底數(shù)千片的生產(chǎn)能力。信息來源：
2月9日上午，制局半導(dǎo)體先進封裝模組制造項目開工儀式在南通高新區(qū)舉行。制局半導(dǎo)體是小芯片和異構(gòu)集成技術(shù)先行者，致力于為客戶提供系統(tǒng)芯片及模組整體解決方案。此次開工的制局半導(dǎo)體（南通）有限公司先進封裝（Chiplets）模組制造項目總投資10.5億元，為客戶提供Chiplet模組整體解決方案，幫助客戶克服大芯片設(shè)計、成本的限制。
項目的順利開工，標志著公司向AI、5G、汽車電子模組制造體系自主可控、國際領(lǐng)先的目標邁出了堅實一步。信息來源：
據(jù)“今日恭城”官微消息，2月8日，桂林市重大產(chǎn)業(yè)項目現(xiàn)場推進會（恭城分會場）暨恭城仟領(lǐng)莫桑石和碳化硅材料生產(chǎn)等兩個項目集中開竣工儀式在開花山創(chuàng)新科技產(chǎn)業(yè)園舉行。
據(jù)介紹，莫桑石和碳化硅材料作為新一代高性能材料，在電子、光學(xué)、新能源等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力，是推動產(chǎn)業(yè)升級、引領(lǐng)科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵力量。仟領(lǐng)莫桑石和碳化硅材料生產(chǎn)項目計劃于2025年11月竣工投產(chǎn)，
魯歐智造憑自身的砥礪奮進，于2024年除夕前圓滿完成了A+輪數(shù)千萬融資，由中關(guān)村發(fā)展集團啟航投資領(lǐng)投、源禾資本跟投。
魯歐智造（山東）數(shù)字科技有限公司（以下簡稱“魯歐智造”）力求在電子熱管理領(lǐng)域進行共性技術(shù)創(chuàng)新，此前A輪融資獲得知名機構(gòu)深創(chuàng)投及中科創(chuàng)星的投資。公司的目標是構(gòu)建完整TDA(Thermal Design Automation)工具生態(tài)鏈，涵蓋測量→建模→仿真→應(yīng)用→數(shù)字資產(chǎn)，形成被全世界廣泛接受的熱數(shù)字孿生技術(shù)體系，成為TDA行業(yè)的世界級領(lǐng)先企業(yè)。魯歐智造以“三駕馬車”為核心戰(zhàn)略，全面布局測試設(shè)備、仿真軟件以及集成電路業(yè)務(wù)。
2月19日，青島思銳智能科技股份有限公司（以下簡稱“思銳智能”）擬沖擊A股IPO的消息引發(fā)市場廣泛關(guān)注。2025年2月7日，思銳智能順利完成股份制改制，企業(yè)名稱正式變更為“青島思銳智能科技股份有限公司”，這為其IPO之路奠定了堅實基礎(chǔ)。
官網(wǎng)顯示，思銳智能成立于2018年，總部在青島，在北京、上海設(shè)有研發(fā)中心。企業(yè)主要聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案。公司產(chǎn)品有原子層沉積（ALD）設(shè)備及離子注入（IMP）設(shè)備，大范圍的應(yīng)用于集成電路、第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、零部件鍍膜等諸多高精尖領(lǐng)域。從股權(quán)結(jié)構(gòu)來看，思銳智能無控制股權(quán)的人、無實際控制人，第一大股東為中車青島四方車輛研究所有限公司，持股票比例為19.48%。
2月11日晚間，港交所網(wǎng)站顯示，寧德時代正式向港交所提交上市申請。若流程順利，有望成為去三年港股最大一筆IPO，并為寧德時代拓展境外融資渠道，加入其海外擴張。
寧德時代在去年12月即宣布，擬發(fā)行境外上市外資股股票，并申請在港交所主板掛牌上市。當時陸媒指出，若中國大陸監(jiān)督管理的機構(gòu)審核等流程順利，寧德時代會在2025年正式登陸港股，成為繼2021年短影音軟體公司快手在香港上市后，過去三年港股最大一筆IPO。
湖南新鋒科技有限公司（以下簡稱：新鋒科技）自2019年成立以來，憑借其在金剛石材料創(chuàng)新功能應(yīng)用領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)
，一直處于行業(yè)前沿。繼達晨財智、香柏泓石等機構(gòu)A輪投資后，2025年1月，由中科創(chuàng)星領(lǐng)投、湘江國投跟投的新一輪戰(zhàn)略融資順利完成。前后融資總額達數(shù)千萬元，國資占比約64%（含中央14%，地方50%）。公司在電化學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)等多領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)研創(chuàng)布局、智能產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)、新產(chǎn)品線開發(fā)等方面，進入全面提速階段。同時，將以此為契機，深化產(chǎn)學(xué)研用合作，持續(xù)深耕金剛石材料在多元領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，全力實現(xiàn)“突破科技研用壁壘，解決全球面臨挑戰(zhàn)，助力世界持續(xù)發(fā)展，改善人類健康生活”的企業(yè)使命。派恩杰半導(dǎo)體：完成近5億元融資
2月21日，設(shè)計企業(yè)派恩杰半導(dǎo)體完成近5億A輪融資，主要投資方包含寧波通商基金、寧波勇誠資管、上海半導(dǎo)體裝備材料產(chǎn)業(yè)投資基金、南京創(chuàng)投、山證創(chuàng)新、坤泰資本等。融資完成后，公司將加速碳化硅與氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)化。消息顯示，其主攻的第三代半導(dǎo)體已逐步量產(chǎn)。
近日，據(jù)億歐網(wǎng)報道，江蘇尊陽電子科技有限公司已完成B輪融資，由知名投資機構(gòu)新潮創(chuàng)投投資。據(jù)悉，尊陽電子成立于2021年5月，是一家專注于功率器件與功率IC研發(fā)制造的高新技術(shù)企業(yè)。其產(chǎn)品線涵蓋光電產(chǎn)品、IGBT、第三代半導(dǎo)體等多個領(lǐng)域。文章進一步透露，此次融資將助力尊陽電子進一步加大研發(fā)力度，提升產(chǎn)品競爭力，推動公司在功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新與發(fā)展。新潮創(chuàng)投的加入，不僅為尊陽電子帶來了資金支持，更帶來了豐富的產(chǎn)業(yè)資源與市場渠道，有望助力公司實現(xiàn)加快速度進行發(fā)展。需要我們來關(guān)注的是，2024年5月，尊陽電子在官微宣布他們已與北京昕感科技有限責任公司簽訂合資協(xié)議，成立江蘇昕陽電子科技有限公司。
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